三星 DDR2

K4T1G083QJ-BI
1千兆字
节
128米x8
1066Mbp
s
1.8V
-40~95°C 60FBGA
K4T1G084QJ
1千兆字
节
128米x8
1066Mbp
s
1.8V
0~85°C
60FBGA
K4T1G163QJ-BI
1千兆字
节
64米x16
1066Mbp
s
1.8V
-40~95°C 84FBGA
K4T1G164QJ
1千兆字
节
64米x16
1066Mbp
s
1.8V
0~85°C
84FBGA
K4T1G164QJ-BFF8
1千兆字
节
64米x16
1066Mbp
s
1.8V
-40~95°C 84FBGA
K4T1G164QJ-BHF8
1千兆字
节
64米x16
1066Mbp
s
1.8V
–
40~105°C 84FBGA
K4T51083QN
512兆字
节
64米x8
1066Mbp
s
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60FBGA
K4T51083QN-BI
512兆字
节
64米x8
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s
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K4T51163QN
512兆字
节
32米x16
1066Mbp
s
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K4T51163QN-BFF8
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K4T51163QN-BHF8
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节
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1066Mbp
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–
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K4T51163QN-BI
512兆字
节
32米x16
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-40~95°C 84FBGA